MOSFET STMicroelectronics canal P, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
2.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 233,08
€ 0,493 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
2.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
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