MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 3,5 A 1 000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Type de boîtier
A-220
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
42 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Taille
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 5,32
€ 2,659 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,659 | € 5,32 |
| 10 - 98 | € 2,248 | € 4,50 |
| 100 - 498 | € 1,798 | € 3,60 |
| 500 - 998 | € 1,601 | € 3,20 |
| 1000+ | € 1,353 | € 2,70 |
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N
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3.5 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
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Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
42 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Taille
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
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