Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Séries
STripFET
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
90 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 40,82
€ 0,816 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 40,82
€ 0,816 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,816 | € 40,82 |
100 - 200 | € 0,795 | € 39,76 |
250 - 450 | € 0,775 | € 38,74 |
500+ | € 0,756 | € 37,79 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Séries
STripFET
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
90 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit