MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

N° de stock RS: 877-2961Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP20N95K5
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

17.5 A

Tension Drain Source maximum

950 V

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

330 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

250 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

4.6mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

40 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Taille

15.75mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 17,45

€ 3,489 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 17,45
10€ 34,89
15€ 52,34
20€ 69,79
25€ 87,24
30€ 104,68
35€ 122,13
40€ 139,58
45€ 157,02
50€ 174,47
55€ 191,92
60€ 209,37
65€ 226,81
70€ 244,26
75€ 261,71

€ 17,45

€ 3,489 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 17,45
10€ 34,89
15€ 52,34
20€ 69,79
25€ 87,24
30€ 104,68
35€ 122,13
40€ 139,58
45€ 157,02
50€ 174,47
55€ 191,92
60€ 209,37
65€ 226,81
70€ 244,26
75€ 261,71

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

17.5 A

Tension Drain Source maximum

950 V

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

330 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

250 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

4.6mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

40 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Taille

15.75mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus