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MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-247 39 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 760-9796Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW48NM60N
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

39 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Série

MDmesh

Type de conditionnement

TO-247

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

70 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

255 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Charge de Grille type @ Vgs

124 nC @ 10 V

Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.75mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

20.15mm

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 6,96

€ 6,96 Each (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-247 39 A 600 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 6,96
2€ 13,92
3€ 20,88
4€ 27,84
5€ 34,80
6€ 41,76
7€ 48,72
8€ 55,68
9€ 62,64
10€ 64,00
11€ 70,40
12€ 76,80
13€ 83,20
14€ 89,60
15€ 96,00

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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 6,96
10 - 24€ 6,40
25 - 99€ 6,12
100 - 249€ 5,32
250+€ 5,14

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Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

39 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Série

MDmesh

Type de conditionnement

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Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

70 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

255 W

Configuration du transistor

Single

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Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

15.75mm

Température d'utilisation maximum

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