MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 73 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 827-4833PMarque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD17307Q5A
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

73 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

17.3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.8V

Tension de seuil minimale de la grille

0.9V

Dissipation de puissance maximum

3000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +10 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.8mm

Charge de Grille type @ Vgs

4 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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€ 6,18

€ 0,618 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 73 A 30 V, 8 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

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10

Disponible en multiples de 10
10€ 6,18
20€ 12,36
30€ 18,54
40€ 24,72
50€ 30,90
60€ 37,08
70€ 43,26
80€ 49,44
90€ 55,62
100€ 61,80
110€ 67,98
120€ 74,16
130€ 80,34
140€ 86,52
150€ 92,70

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N

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NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

17.3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.8V

Tension de seuil minimale de la grille

0.9V

Dissipation de puissance maximum

3000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +10 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

5.8mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

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