Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
NexFET
Type d'emballage
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,51 e + 007 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 3,70
€ 0,37 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
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Texas InstrumentsType de canal
N
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50 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
NexFET
Type d'emballage
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,51 e + 007 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si