MOSFET Toshiba canal N, PW moulé 2 5 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
2SK
Type de boîtier
PW moulé 2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
20 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Largeur
2.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
5.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
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Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
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±20 V
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Largeur
2.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
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Taille
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