Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4e+008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 317,33
€ 0,106 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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P
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2 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
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SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4e+008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium