MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8L 75 A 40 V, 4 broches

N° de stock RS: 178-3916Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SQJA76EP-T1_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

75 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Série

TrenchFET

Type de boîtier

PowerPAK SO-8L

Type de fixation

CMS

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum

5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3.5V

Dissipation de puissance maximum

66 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

66 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Standard automobile

AEC-Q101

Taille

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Pays d'origine

China

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€ 10,25

€ 1,025 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8L 75 A 40 V, 4 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 10,25
20€ 20,50
30€ 30,75
40€ 41,01
50€ 51,26
60€ 61,51
70€ 71,76
80€ 82,01
90€ 92,26
100€ 79,38
110€ 87,31
120€ 95,25
130€ 103,19
140€ 111,13
150€ 119,06

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 1,025€ 10,25
100 - 490€ 0,794€ 7,94
500 - 990€ 0,673€ 6,74
1000+€ 0,581€ 5,81

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N

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75 A

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40 V

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Résistance Drain Source maximum

5 mΩ

Mode de canal

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Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

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3.5V

Dissipation de puissance maximum

66 W

Configuration du transistor

Single

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1

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

66 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

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