MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 1,50
€ 1,50 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 1,50
€ 1,50 Each (hors TVA)
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,50 |
| 10 - 49 | € 1,34 |
| 50 - 99 | € 1,20 |
| 100 - 249 | € 1,12 |
| 250+ | € 1,05 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.