MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,1 A 60 V, 4 broches

N° de stock RS: 541-0733PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRFD9014PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

1.1 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

HVMDIP

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

500 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

1.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

12 nC V @ 10

Largeur

6.29mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

3.37mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Vous pouvez être intéressé par
MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,1 A 60 V, 4 broches
MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,1 A 60 V, 4 brochesMarque: Vishay
€ 0,386Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 6,60

€ 0,66 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,1 A 60 V, 4 broches
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Paquet de production (Bande)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 1
10€ 6,60
11€ 7,26
12€ 7,92
13€ 8,58
14€ 9,24
15€ 9,90
16€ 10,56
17€ 11,22
18€ 11,88
19€ 12,54
20€ 13,20
21€ 13,86
22€ 14,52
23€ 15,18
24€ 15,84

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17€ 11,22
18€ 11,88
19€ 12,54
20€ 13,20
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QuantitéPrix unitaire
10 - 49€ 0,66
50 - 99€ 0,59
100 - 249€ 0,55
250+€ 0,50

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Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

1.1 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

HVMDIP

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

500 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

1.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

12 nC V @ 10

Largeur

6.29mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

3.37mm

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