MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 1,4 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 812-0660Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRFU1N60APBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

1.4 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Type d'emballage

IPAK (TO-251)

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

7 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

36 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

2.39mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

14 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

6.22mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Malaysia

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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3

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7 Ω

Mode de canal

Enrichissement

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2V

Dissipation de puissance maximum

36 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

2.39mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

14 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

6.22mm

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