MOSFET Vishay canal P, SOT-23 1.2 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 710-3250PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SI2309CDS-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

1.2 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type d'emballage

SOT-23, TO-236

Type de fixation

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

345 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

2,7 nC @ 4,5 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 3,61

€ 0,361 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, SOT-23 1.2 A 60 V, 3 broches
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Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 3,61
20€ 7,22
30€ 10,82
40€ 14,43
50€ 18,04
60€ 21,65
70€ 25,26
80€ 28,86
90€ 32,47
100€ 36,08
110€ 39,69
120€ 43,30
130€ 46,90
140€ 50,51
150€ 54,12

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3

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345 mΩ

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1V

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1000 mW

Configuration du transistor

Single

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Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

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Longueur

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