Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
SQ Rugged
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
54 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
1.02mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor
La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.
Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged
Certifié AEC-Q101
Température de jonction jusqu'à +175 °C
Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
Options de boîtier innovantes à gain de place
Approvals
AEC-Q101
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 7,41
€ 0,741 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 7,41
€ 0,741 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,741 | € 7,41 |
100 - 240 | € 0,726 | € 7,26 |
250 - 490 | € 0,571 | € 5,71 |
500 - 990 | € 0,363 | € 3,63 |
1000+ | € 0,326 | € 3,26 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
SQ Rugged
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
54 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
1.02mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor
La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.
Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged
Certifié AEC-Q101
Température de jonction jusqu'à +175 °C
Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
Options de boîtier innovantes à gain de place
Approvals
AEC-Q101