Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Module de commande de grille
Courant de sortie
6A
Nombre de broches
16
Type de Boitier
SO-16
Temps de descente
5ns
Type de driver
Gate Driver
Tension d'alimentation minimum
3.3V
Nombre de drivers
2
Tension d'alimentation maximum
5V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Série
STDRI
Standard automobile
No
Détails du produit
Le STMicroelectronics STDRIVEG600 est un driver de grille demi-pont à puce unique pour les transistors FET GaN à mode d'amélioration ou MOSFET de puissance à canal N. La section haute puissance est conçue pour supporter une tension jusqu'à 600 V et est adaptée pour les conceptions avec une tension de bus jusqu'à 500 V. Le dispositif est conçu pour commander des transistors FET GaN et Si haute vitesse grâce à une capacité de courant élevé, un court délai de propagation et un fonctionnement avec une tension d'alimentation jusqu'à 5 V.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4 996,62
€ 1,999 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 4 996,62
€ 1,999 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 1,999 | € 4 996,62 |
| 5000+ | € 1,987 | € 4 967,40 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Module de commande de grille
Courant de sortie
6A
Nombre de broches
16
Type de Boitier
SO-16
Temps de descente
5ns
Type de driver
Gate Driver
Tension d'alimentation minimum
3.3V
Nombre de drivers
2
Tension d'alimentation maximum
5V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Série
STDRI
Standard automobile
No
Détails du produit
Le STMicroelectronics STDRIVEG600 est un driver de grille demi-pont à puce unique pour les transistors FET GaN à mode d'amélioration ou MOSFET de puissance à canal N. La section haute puissance est conçue pour supporter une tension jusqu'à 600 V et est adaptée pour les conceptions avec une tension de bus jusqu'à 500 V. Le dispositif est conçu pour commander des transistors FET GaN et Si haute vitesse grâce à une capacité de courant élevé, un court délai de propagation et un fonctionnement avec une tension d'alimentation jusqu'à 5 V.