Diode Schottky STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 10 A Traversant 2 broches

Brand

Type de support

Through Hole

Type de produit

Schottky Diode

Type de Boitier

TO-220

Courant continu direct maximum If

10A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

650V

Série

STPSC

Configuration de diode

Diode Schottky en carbure de silicium

Type de Diode

SiC Schottky

Nombre de broches

2

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

650A

Courant inverse crête Ir

425μA

Tension directe maximale Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.75mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China