Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Ensemble complexe
Type de produit
Matrice à diodes TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
6V
Type de support
Surface
Type de Boitier
SOIC
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
5.2V
Nombre de broches
8
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
500W
Température minimum de fonctionnement
-30°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
40A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
1.25mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Largeur
4mm
Courant de fuite inverse maximum
10μA
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,00
€ 0,601 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 3,00
€ 0,601 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,601 | € 3,00 |
| 10+ | € 0,571 | € 2,85 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Ensemble complexe
Type de produit
Matrice à diodes TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
6V
Type de support
Surface
Type de Boitier
SOIC
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
5.2V
Nombre de broches
8
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
500W
Température minimum de fonctionnement
-30°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
40A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
1.25mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Largeur
4mm
Courant de fuite inverse maximum
10μA
Standard automobile
No
Détails du produit