MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 7,5 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.5 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
MDmesh M2
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
85 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 3,70
€ 0,739 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,739 | € 3,70 |
| 25 - 45 | € 0,72 | € 3,60 |
| 50 - 120 | € 0,701 | € 3,51 |
| 125 - 245 | € 0,682 | € 3,41 |
| 250+ | € 0,666 | € 3,33 |
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N
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
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600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
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-25 V, +25 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,5 nC @ 10 V
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150 °C
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
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