MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type d'emballage
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 63,60
€ 1,272 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,272 | € 63,60 |
| 100 - 200 | € 1,094 | € 54,70 |
| 250+ | € 1,018 | € 50,88 |
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Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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