MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 1,7 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.7 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
806 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
3,4 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 8,28
€ 0,331 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 125 | € 0,331 | € 8,28 |
| 150 - 725 | € 0,202 | € 5,04 |
| 750 - 1475 | € 0,196 | € 4,91 |
| 1500+ | € 0,192 | € 4,79 |
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
806 mW
Configuration du transistor
Single
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-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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Hauteur
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