MOSFET onsemi canal N, SOT-23 3,2 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
2,4 nC @ 4,5 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 0,77
€ 0,387 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 0,77
€ 0,387 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 58 | € 0,387 | € 0,77 |
| 60 - 118 | € 0,364 | € 0,73 |
| 120 - 198 | € 0,311 | € 0,62 |
| 200 - 498 | € 0,293 | € 0,59 |
| 500+ | € 0,282 | € 0,56 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
2,4 nC @ 4,5 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.