MOSFET Vishay canal N, SOT-23 3,6 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
1,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 84,15
€ 0,168 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 84,15
€ 0,168 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 1200 | € 0,168 | € 8,42 |
| 1250 - 2450 | € 0,132 | € 6,60 |
| 2500 - 4950 | € 0,12 | € 6,02 |
| 5000+ | € 0,108 | € 5,38 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
1,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.