MOSFET Vishay canal N, SOT-23 3,6 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 85,40
€ 0,171 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 85,40
€ 0,171 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 1200 | € 0,171 | € 8,54 |
| 1250 - 2450 | € 0,134 | € 6,69 |
| 2500 - 4950 | € 0,122 | € 6,12 |
| 5000+ | € 0,11 | € 5,48 |
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
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Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
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China
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