MOSFET Vishay canal N, SOIC 12 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 812-3205PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SI4178DY-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

12 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

33 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.4V

Dissipation de puissance maximum

5000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

7,5 nC @ 10 V

Taille

1.55mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay canal N, SOIC 6.5 A 30 V, 8 broches
Prix ​​sur demandeEach (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Transistor MOSFET Vishay canal N, SOIC 6.2 A 30 V, 8 broches
Prix ​​sur demandeEach (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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€ 64,99

€ 0,325 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
200 - 480€ 0,325€ 6,50
500 - 980€ 0,305€ 6,10
1000 - 1980€ 0,264€ 5,28
2000+€ 0,22€ 4,40

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Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

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Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

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Longueur

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Taille

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