MOSFET Vishay canal N, SOIC 12 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,5 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 64,99
€ 0,325 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
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Paquet de production (Bobine)
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,325 | € 6,50 |
| 500 - 980 | € 0,305 | € 6,10 |
| 1000 - 1980 | € 0,264 | € 5,28 |
| 2000+ | € 0,22 | € 4,40 |
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N
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12 A
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Type d'emballage
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,5 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.55mm
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