MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 3 A, 3,7 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
3 A, 3.7 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
53 mΩ, 80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.13 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.55mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
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Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V
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2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
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