Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
86A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
272W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
RoHS
Série
STG
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
L'IGBT 650 V série HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de champ propriétaire Advanced Trench Gate. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite. Une diode utilisée à des fins de protection est uniquement co-emballée en parallèle avec l'IGBT. Le résultat est un produit spécialement conçu pour maximiser l'efficacité pour une large gamme d'applications rapides.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 14,17
€ 2,833 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 14,17
€ 2,833 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,833 | € 14,17 |
| 50 - 120 | € 2,581 | € 12,90 |
| 125+ | € 2,151 | € 10,75 |
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Brand
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IGBT
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Dissipation de puissance maximum Pd
272W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
RoHS
Série
STG
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
L'IGBT 650 V série HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de champ propriétaire Advanced Trench Gate. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite. Une diode utilisée à des fins de protection est uniquement co-emballée en parallèle avec l'IGBT. Le résultat est un produit spécialement conçu pour maximiser l'efficacité pour une large gamme d'applications rapides.
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