IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics, canal Type N, 40 A, 650 V, 3 broches , TO, montage

Ces dispositifs sont des IGBT développés à l'aide d'une porte de tranchée propriétaire Advanced et d'une structure d'arrêt de champ. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représentent un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution de paramètres très serrée permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

• Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
• Série de commutation haute vitesse
• Courant de queue minimisé
• VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 20 A.
• Distribution de paramètres serrée
• Mise en parallèle sûre
• Résistance thermique faible
• Boîtier sans plomb