Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode Schottky et de redressement
Type de support
En surface
Type de Boitier
ECOPACK
Courant continu direct maximum If
5A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
100V
Configuration de diode
Single
Série
STPS
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
155A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
4.75mm
Hauteur
6.65mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le redresseur à tranchée Schottky de puissance de STMicroelectronics est basé sur la technologie de tranchée ST qui permet d'obtenir le meilleur compromis VF/IR inclus pour une surface de silicium donnée. Intégré dans des boîtiers plats et à gain de place, ce redresseur de tranchée est destiné à être utilisé dans les alimentations à découpage miniatures haute fréquence.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,94
€ 0,494 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 4,94
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,494 | € 4,94 |
| 100 - 490 | € 0,356 | € 3,56 |
| 500 - 990 | € 0,272 | € 2,72 |
| 1000 - 2490 | € 0,222 | € 2,22 |
| 2500+ | € 0,213 | € 2,13 |
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode Schottky et de redressement
Type de support
En surface
Type de Boitier
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Courant continu direct maximum If
5A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
100V
Configuration de diode
Single
Série
STPS
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
155A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
4.75mm
Hauteur
6.65mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le redresseur à tranchée Schottky de puissance de STMicroelectronics est basé sur la technologie de tranchée ST qui permet d'obtenir le meilleur compromis VF/IR inclus pour une surface de silicium donnée. Intégré dans des boîtiers plats et à gain de place, ce redresseur de tranchée est destiné à être utilisé dans les alimentations à découpage miniatures haute fréquence.
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