Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type du produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
8A
Type de support
En surface
Sous type
Silicon Junction
Type de Boitier
TO-263
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 31,27
€ 1,017 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 31,27
€ 1,017 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,017 | € 5,08 |
| 250 - 495 | € 0,776 | € 3,88 |
| 500+ | € 0,687 | € 3,44 |
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Single
Type du produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
8A
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Sous type
Silicon Junction
Type de Boitier
TO-263
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
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