MOSFET IXYS canal N, SOT-227 150 A 150 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
SOT-227
Type de fixation
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
680 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
240 nC @ 10 V
Largeur
25.42mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.23mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 30,94
€ 30,94 Each (hors TVA)
Standard
1
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 30,94 |
| 5+ | € 27,82 |
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4
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
680 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
38.23mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.6mm
Température de fonctionnement minimum
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