Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Transistor
Courant continu de Collecteur maximum Idc
3A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
60V
Type de Boitier
SOT-223
Type de support
En surface
Configuration du transistor
NPN
Tension Collecteur Base maximale VCBO
80V
Dissipation de puissance maximum Pd
1.6W
Polarité du transistor
NPN
Gain en courant DC minimum hFE
80
Tension Emetteur Base maximale VEBO
6V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Nombre de broches
4
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
2.29mm
Hauteur
4.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le transistor NPN de STMicroelectronics est fabriqué à l'aide de la nouvelle technologie planaire basse tension avec double procédé métallique. Le résultat est un transistor qui offre des performances de gain exceptionnellement élevées couplées à une très faible tension de saturation.
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 163,63
€ 0,164 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,164 | € 163,63 |
| 2000 - 4000 | € 0,14 | € 140,26 |
| 5000 - 9000 | € 0,126 | € 126,23 |
| 10000+ | € 0,122 | € 121,56 |
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Type de support
En surface
Configuration du transistor
NPN
Tension Collecteur Base maximale VCBO
80V
Dissipation de puissance maximum Pd
1.6W
Polarité du transistor
NPN
Gain en courant DC minimum hFE
80
Tension Emetteur Base maximale VEBO
6V
Température minimum de fonctionnemen
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4
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Longueur
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Hauteur
4.4mm
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UPC
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Le transistor NPN de STMicroelectronics est fabriqué à l'aide de la nouvelle technologie planaire basse tension avec double procédé métallique. Le résultat est un transistor qui offre des performances de gain exceptionnellement élevées couplées à une très faible tension de saturation.
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