Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Courant de sortie
4A
Nombre de broche
14
Temps de descente
40ns
Type de Boitier
SO-16
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
40ns
Tension d'alimentation minimum
20V
Nombre de drivers
1
Tension maximale d'alimentation
20V
Température d'utilisation minimum
-40°C
Température d'utilisation maximum
85°C
Longueur
8.75mm
Hauteur
1.65mm
Normes/homologations
No
Série
L6491
Type de montage
En surface
Standard automobile
No
Détails du produit
Le L6491 est un dispositif haute tension fabriqué avec la technologie "OFF-LINE" BCD6. Il s'agit d'un driver de grille demi-pont monopuce pour MOSFET de puissance à canal N ou IGBT. La section haute puissance (flottante) est conçue pour résister à un rail de tension jusqu'à 600 V. Les entrées logiques sont compatibles CMOS/TTL jusqu'à 3,3 V pour faciliter l'interfaçage du microcontrôleur/DSP. Un comparateur intégré est disponible pour une protection rapide contre les surintensités, les surtempératures, etc.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 137,33
€ 2,747 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 137,33
€ 2,747 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,747 | € 137,33 |
| 250 - 450 | € 2,678 | € 133,89 |
| 500+ | € 2,604 | € 130,20 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Courant de sortie
4A
Nombre de broche
14
Temps de descente
40ns
Type de Boitier
SO-16
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
40ns
Tension d'alimentation minimum
20V
Nombre de drivers
1
Tension maximale d'alimentation
20V
Température d'utilisation minimum
-40°C
Température d'utilisation maximum
85°C
Longueur
8.75mm
Hauteur
1.65mm
Normes/homologations
No
Série
L6491
Type de montage
En surface
Standard automobile
No
Détails du produit
Le L6491 est un dispositif haute tension fabriqué avec la technologie "OFF-LINE" BCD6. Il s'agit d'un driver de grille demi-pont monopuce pour MOSFET de puissance à canal N ou IGBT. La section haute puissance (flottante) est conçue pour résister à un rail de tension jusqu'à 600 V. Les entrées logiques sont compatibles CMOS/TTL jusqu'à 3,3 V pour faciliter l'interfaçage du microcontrôleur/DSP. Un comparateur intégré est disponible pour une protection rapide contre les surintensités, les surtempératures, etc.