Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Transistor Bipolaire
Courant continu de Collecteur maximum Idc
16A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
700V
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
En surface
Configuration du transistor
Single
Dissipation de puissance maximum Pd
80W
Polarité du transistor
NPN
Gain en courant DC minimum hFE
25
Tension Emetteur Base maximale VEBO
9V
Température de fonctionnement minimale
-65°C
Nombre de broche
3
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.85mm
Normes/homologations
No
Série
STB13007DT4
Standard automobile
No
Détails du produit
Le dispositif est fabriqué à l'aide de la technologie planaire multiépitaxiale haute tension pour des vitesses de commutation élevées et une capacité de tension moyenne. Il utilise une structure d'émetteur cellulaire pour améliorer les vitesses de commutation.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 642,84
€ 0,643 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 642,84
€ 0,643 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,643 | € 642,84 |
| 2000 - 4000 | € 0,635 | € 634,66 |
| 5000+ | € 0,626 | € 626,48 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Transistor Bipolaire
Courant continu de Collecteur maximum Idc
16A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
700V
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
En surface
Configuration du transistor
Single
Dissipation de puissance maximum Pd
80W
Polarité du transistor
NPN
Gain en courant DC minimum hFE
25
Tension Emetteur Base maximale VEBO
9V
Température de fonctionnement minimale
-65°C
Nombre de broche
3
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.85mm
Normes/homologations
No
Série
STB13007DT4
Standard automobile
No
Détails du produit
Le dispositif est fabriqué à l'aide de la technologie planaire multiépitaxiale haute tension pour des vitesses de commutation élevées et une capacité de tension moyenne. Il utilise une structure d'émetteur cellulaire pour améliorer les vitesses de commutation.