IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics, canal Type N, 60 A, 600 V, 1 MHz, 3 broches , TO-3PF,

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.