Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
80A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
375W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
RoHS
Série
H
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,41
€ 4,41 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 4,41
€ 4,41 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,41 |
| 10 - 99 | € 2,88 |
| 100 - 599 | € 2,84 |
| 600 - 1199 | € 2,81 |
| 1200+ | € 2,77 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
80A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
375W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
RoHS
Série
H
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.