Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
50A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
167W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.1V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
UPC
Série
STG
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 69,28
€ 2,309 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 69,28
€ 2,309 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 270 | € 2,309 | € 69,28 |
| 300 - 720 | € 2,252 | € 67,57 |
| 750+ | € 2,194 | € 65,82 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
50A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
167W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.1V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
UPC
Série
STG
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.