Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Diode
Type de montage
En surface
Type de Boitier
TO-263
Courant continu direct maximum If
20A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Configuration de diode
Single
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
60μA
Tension directe maximale Vf
2.25V
Température d'utilisation minimum
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
120A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.95mm
Hauteur
4.3mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Détails du produit
La diode en carbure de silicium Schottky de puissance 1 200 V STMicroelectronics est un redresseur Schottky de puissance ultraroigh performance. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Ce redresseur améliore les performances de l'application ciblée. Sa haute capacité de surtension directe.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Température d'utilisation minimum
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
120A
Température d'utilisation maximum
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Longueur
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4.3mm
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RoHS
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No
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La diode en carbure de silicium Schottky de puissance 1 200 V STMicroelectronics est un redresseur Schottky de puissance ultraroigh performance. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Ce redresseur améliore les performances de l'application ciblée. Sa haute capacité de surtension directe.
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