Diode Schottky STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 30 A Traversant 7 broches

Brand

Type de produit

Schottky Diode

Type de support

Through Hole

Type de Boitier

HU3PAK

Courant continu direct maximum If

30A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

650V

Série

STPSC

Configuration de diode

Diode Schottky en carbure de silicium

Type de Diode

SiC Schottky

Nombre de broches

7

Tension directe maximale Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

1100A

Courant inverse crête Ir

1200μA

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

11.9mm

Hauteur

3.6mm

Standard automobile

AEC-Q101