Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Diode Schottky et de redressement
Type de montage
En surface
Type de Boitier
ECOPACK
Courant continu direct maximum If
15A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
100V
Configuration de diode
Common Anode
Série
STPS
Type de Diode
Rectifier Diode
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimale
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
230A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
10.1mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le redresseur à tranchée Schottky de puissance DPAK de STMicroelectronics est basé sur la technologie de tranchée ST qui permet d'obtenir le meilleur compromis VF/IR inclus pour une surface de silicium donnée. Intégré dans des boîtiers plats et à gain de place, ce redresseur de tranchée est destiné à être utilisé dans les alimentations à découpage miniatures haute fréquence.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 104,52
€ 0,442 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 104,52
€ 0,442 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 0,442 | € 1 104,52 |
| 5000+ | € 0,436 | € 1 089,91 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Diode Schottky et de redressement
Type de montage
En surface
Type de Boitier
ECOPACK
Courant continu direct maximum If
15A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
100V
Configuration de diode
Common Anode
Série
STPS
Type de Diode
Rectifier Diode
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimale
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
230A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
10.1mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le redresseur à tranchée Schottky de puissance DPAK de STMicroelectronics est basé sur la technologie de tranchée ST qui permet d'obtenir le meilleur compromis VF/IR inclus pour une surface de silicium donnée. Intégré dans des boîtiers plats et à gain de place, ce redresseur de tranchée est destiné à être utilisé dans les alimentations à découpage miniatures haute fréquence.