MOSFET Microchip canal P, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 879-3283Marque: MicrochipN° de pièce Mfr: VP2106N3-G
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

250 mA

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type d'emballage

TO-92

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

15 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Dissipation de puissance maximum

1000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4.06mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.08mm

Hauteur

5.33mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

2V

Détails du produit

Transistors MOSFET canal P à mode d'enrichissement Supertex

La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal P et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

MOSFET Transistors, Microchip

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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3

Résistance Drain Source maximum

15 Ω

Mode de canal

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Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

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Tension Grille Source maximum

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Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4.06mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

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Hauteur

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