Diode TVS STMicroelectronics 1, dissip. 1.1 KW Uni-Directionnel 6.3 V, 2 broches QFN

Brand

Configuration de diode

Array

Type de produit

Diode TVS

Type de direction

Uni-Directional

Tension de claquage minimum Vbr

6.9V

Type de support

Surface

Type de Boitier

QFN

Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm

6.3V

Nombre de broches

2

Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm

1.1kW

Tension de pincement VC

13.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Courant de test It

1mA

Courant d'impulsion crête maximum

80A

Protection ESD

Yes

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

0.55mm

Longueur

1.7mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.1mm

Courant de fuite inverse maximum

200nA

Standard automobile

No