Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
12A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Single
Série
STPSC12065
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
50μA
Tension directe maximale Vf
1.65V
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
220A
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.95mm
Hauteur
4.3mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
La diode en carbure de silicium Schottky de puissance 650 V STMicroelectronics est une diode Schottky de puissance à très hautes performances. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Sa haute capacité de surtension directe garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 126,81
€ 2,536 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,536 | € 126,82 |
| 250+ | € 2,376 | € 118,81 |
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Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Single
Série
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Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
50μA
Tension directe maximale Vf
1.65V
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
220A
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.95mm
Hauteur
4.3mm
Normes/homologations
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La diode en carbure de silicium Schottky de puissance 650 V STMicroelectronics est une diode Schottky de puissance à très hautes performances. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Sa haute capacité de surtension directe garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires
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