Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type de produit
Silicon Junction
Courant direct maximum If
8A
Sous type
Jonction au silicium
Type de support
Surface
Type de Boitier
TO-252
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
17ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
1.05V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
5m
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 22,54
€ 0,451 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 22,54
€ 0,451 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,451 | € 11,27 |
| 125 - 225 | € 0,405 | € 10,12 |
| 250+ | € 0,404 | € 10,09 |
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Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type de produit
Silicon Junction
Courant direct maximum If
8A
Sous type
Jonction au silicium
Type de support
Surface
Type de Boitier
TO-252
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
17ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
1.05V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
5m
Hauteur
2.4mm
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No
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