MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 1,7 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.7 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
806 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
3,4 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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DiodesZetexType de canal
N
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Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
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806 mW
Configuration du transistor
Single
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-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
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150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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