MOSFET Infineon canal P, D2PAK 6,8 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
DPKZ
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
480 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Longueur
10.67mm
Largeur
9.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
27 nC @ -10 V
Série
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
DPKZ
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
480 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Longueur
10.67mm
Largeur
9.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
27 nC @ -10 V
Série
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.