MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 6,8 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 815-2667Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRF9640STRLPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6.8 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

500 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

44 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

4.83mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Infineon canal P, D2PAK 6,8 A 100 V, 3 broches
Prix ​​sur demandeEach (In a Pack of 5) (hors TVA)

€ 20,25

€ 2,025 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 10€ 2,025€ 20,25
20 - 40€ 1,905€ 19,05
50 - 90€ 1,722€ 17,22
100 - 240€ 1,621€ 16,21
250+€ 1,52€ 15,20

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3

Résistance Drain Source maximum

500 mΩ

Mode de canal

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Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

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Tension Grille Source maximum

±20 V

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Si

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1

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

9.65mm

Température d'utilisation maximum

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Température de fonctionnement minimum

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Hauteur

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