Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.8 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 20,25
€ 2,025 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 20,25
€ 2,025 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 2,025 | € 20,25 |
| 20 - 40 | € 1,905 | € 19,05 |
| 50 - 90 | € 1,722 | € 17,22 |
| 100 - 240 | € 1,621 | € 16,21 |
| 250+ | € 1,52 | € 15,20 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.8 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Pays d'origine
China
Détails du produit


