MOSFET IXYS canal N, A-247 26 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
26 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
HiperFET, Polar
Type d'emballage
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
460 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
21.46mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 9,98
€ 9,98 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 5 | € 9,98 |
| 6 - 14 | € 8,62 |
| 15+ | € 8,19 |
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
460 W
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Single
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±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
21.46mm
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