MOSFET IXYS canal N, A-247 96 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
96 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
145 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
21.46mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 171,07
€ 5,702 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Tension de seuil maximale de la grille
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Single
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Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
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