Documents Techniques
Spécifications
Brand
MicrochipTaille de la mémoire
1MB
Type du produit
Mémoire flash
Type d'interface
Parallèle
Type de Boitier
TSOP
Nombre de broches
32
Configuration
128k x 8
Type de montage
En surface
Type de cellule
Porte séparée
Tension d'alimentation minimale
2.7V
Tension maximale d'alimentation
3.6V
Type de timing
Asynchronous
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
1.05mm
Longueur
8.1mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
12.5mm
Nombre de bits par mot
8
Courant d'alimentation
20mA
Temps d'accès aléatoire maximum
70ns
Série
SST39
Standard automobile
No
Nombre de mots
128k
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Le SST39VF010 est un CMOS Flash multi-usages (MPF) 128 ko x 8 fabriqué avec une technologie CMOS SuperFlash propriétaire SST hautes performances. La conception de cellules à grille fractionnée et l'injecteur de tunnellisation à oxyde épais permettent d'obtenir une meilleure fiabilité et capacité de fabrication qu'avec d'autres approches. Le SST39VF010 écrit (programmation ou effacement) avec une alimentation de 2,7 à 3,6 V.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 212,34
€ 1,021 Each (In a Tray of 208) (hors TVA)
208
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208
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Mémoire flash
Type d'interface
Parallèle
Type de Boitier
TSOP
Nombre de broches
32
Configuration
128k x 8
Type de montage
En surface
Type de cellule
Porte séparée
Tension d'alimentation minimale
2.7V
Tension maximale d'alimentation
3.6V
Type de timing
Asynchronous
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
1.05mm
Longueur
8.1mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
12.5mm
Nombre de bits par mot
8
Courant d'alimentation
20mA
Temps d'accès aléatoire maximum
70ns
Série
SST39
Standard automobile
No
Nombre de mots
128k
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Le SST39VF010 est un CMOS Flash multi-usages (MPF) 128 ko x 8 fabriqué avec une technologie CMOS SuperFlash propriétaire SST hautes performances. La conception de cellules à grille fractionnée et l'injecteur de tunnellisation à oxyde épais permettent d'obtenir une meilleure fiabilité et capacité de fabrication qu'avec d'autres approches. Le SST39VF010 écrit (programmation ou effacement) avec une alimentation de 2,7 à 3,6 V.