MOSFET onsemi canal N, SOT-23 170 mA 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
170 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 100 V à 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 19,37
€ 0,194 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 19,37
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,194 | € 1,94 |
| 250 - 490 | € 0,168 | € 1,68 |
| 500 - 990 | € 0,147 | € 1,47 |
| 1000+ | € 0,134 | € 1,34 |
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N
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170 mA
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-100 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
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